MXO45HST-3C-26M0000/西迪斯晶振/正方型钟振/6G网络晶振

MXO45HST-3C-26M0000/西迪斯晶振/正方型钟振/6G网络晶振，尺寸为13.20mmx13.20mm,频率26MHZ，时钟振荡器，石英晶体振荡器，OSC晶振，有源晶振，欧美进口晶振，高性能晶振，低抖动晶振，低电压晶振，CTS MXO45和MXO45HS是传统的通孔时钟振荡器，提供低成本的设计，支持旧的HCMOS / TTL应用程序。MXO45/MXO45HS不推荐用于新的设计活动，但可用于支持为全尺寸和半尺寸金属DIP封装开发的现有应用。

振荡器产品主要应用范围：计算机和外围设备，微控制器和fpga，存储区域组网，宽带接入，数据通信，网络设备，以太网/千兆以太网，光纤通道，测试与测量等领域。MXO45HST-3C-26M0000/西迪斯晶振/正方型钟振/6G网络晶振.

MXO45HST-3C-26M0000/西迪斯晶振/正方型钟振/6G网络晶振，尺寸为13.20mmx13.20mm,频率26MHZ，时钟振荡器，石英晶体振荡器，OSC晶振，有源晶振，欧美进口晶振，高性能晶振，低抖动晶振，低电压晶振，CTS MXO45和MXO45HS是传统的通孔时钟振荡器，提供低成本的设计，支持旧的HCMOS / TTL应用程序。MXO45/MXO45HS不推荐用于新的设计活动，但可用于支持为全尺寸和半尺寸金属DIP封装开发的现有应用。

振荡器产品主要应用范围：计算机和外围设备，微控制器和fpga，存储区域组网，宽带接入，数据通信，网络设备，以太网/千兆以太网，光纤通道，测试与测量等领域。MXO45HST-3C-26M0000/西迪斯晶振/正方型钟振/6G网络晶振.

MXO45HST-3C-26M0000/西迪斯晶振/正方型钟振/6G网络晶振 参数表

PARAMETERSYMBOLCONDITIONSMINTYPMAXUNIT
Maximum Supply VoltageVCC						-								-0 .5		-		7 .0V
Supply Voltage				VCC		±10%								4 .5		5 .0		5 .5		V
Supply Current						Freq Range [tested load noted for TYP values.]
						1 .0MHz to 20MHz[CL= 30pF]								-		10		26
						20 .001MHz to 40MHz[CL= 30pF]								-		20		40
				ICC		40 .001MHz to 80MHz[CL = 30pF]								-		30		60		mA
						80 .001MHz to 125MHz[CL= 15pF]								-		40		70
						125 .001MHz to 200MHz[CL= 15pF]								-		55		80
O perating Temperature				TA		-								-20 -40		+25		+70 +85		°C
Storage TemperatureTSTG--40-+100°C
Frequency Stability
PARAMETER				SYMBOL			CONDITIONS					MIN			TYP				MAX	UNIT
Frequency Range				O			-								26					MHz
Freq uency Stability[Note1]				Δf/fO			-								20, 25, 50 or 100					±ppm
Aging				Δf/f25			First Year @ +25°C, nominal VCC-5								±3				5	ppm
1.]Inclusive of initial tolerance at time				of shipment, changes			in supply voltage, load, temperature and 1st year aging.
Output Parameters
PARAMETERSYMBOLCONDITIONSMINTYPMAXUNIT
Output Type				-		-									HCMOS			-
Output Load						1 .0MHz to 50MHz[CMOS Load]-									15			50
				CL		50 .001MHz to 80MHz[CMOS Load]-									15			30		pF
						80 .001MHz to 200MHz[CMOS Load]-									15			15
						1 .0MHz to 200MHz[TTL Load]-									-			10		TTL
O utput Voltage Levels				VOH VOL		CMOS Load 10TTL Load CMOS Load 10TTL Load						0 .9VCC 2 .4 - -			- - - -			- - 0 .1VCC 0 .4		V
O utput Current Levels				IOH IOL		VOH= 3 .9V, VCC= 4 .5V VOL= 0 .4V, VCC= 4 .5V						- -			- -			-16 16		mA
O utput Duty Cyc le				SYM		@ 50% Level45									-			55		%
Rise and Fall Time						@ 10%/90% Levels [tested load noted for TYP values.]
						1 .0MHz to 20MHz[CL= 30pF]-									8			10
				TR, TF		20 .001MHz to 80MHz[CL= 30pF] 80 .001MHz to 125MHz[CL = 15pF]								- -	5 2 .5			8 5		ns
						125 .001MHz to 200MHz[CL= 15pF]-									-			2
Start Up Time				TS		Application of VCC, CL= 15pF-									5			10		ms

MXO45HST-3C-26M0000/西迪斯晶振/正方型钟振/6G网络晶振 尺寸表有源晶振产品特性：

标准14针或8针金属DIP封装

基本和第三泛音晶体设计

低相位抖动性能

频率范围1 - 200MHz

+ 5.0 v操作

输出启用选项可用

三种批准的包装方法。

更多相关CTS西迪斯晶振型号