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低功耗的LVDS时钟振荡器MX575ABB50M0000常用用于6G蓝牙模块

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浏览:- 发布日期:2023-07-12 18:44:57【
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低功耗的LVDS时钟振荡器MX575ABB50M0000常用用于6G蓝牙模块,Microchip是一家对于晶体产品有着独特见解的制造商,总能为这个广泛应用市场带来惊喜的产品,因此成为一个小众晶振品牌,公司在制作高端的有源晶振上面,显得尤为出色,每一次产品都以超高的标准严格要求制作而成,经过自身的努力,针对新兴行业开发编码MX575ABB50M0000,型号MX57,LVDS差分晶振,XO时钟振荡器(标准),尺寸为7.00mm x 5.00mm,频率为50MHz,支持输出LVDS ,电压为2.375V ~ 3.63V ,脚位6-SMD,MX575ABB50M0000是一款超低相位抖动 具有LVDS输出的XO针对高线路速率进行了优化 应用程序。

产品特性:50兆赫LVDS,典型相位噪声: -121fs(积分范围:1.875MHz-20MHz),50ppm总频率稳定性,-40°C至+85°C温度范围,行业标准6针7毫米x5毫米LGA包裹.具有低抖动低功耗低相位低相噪的特点,产品很适合用于无线网络,智能家居,蓝牙模块,仪器设备等领域。

Our multiple-output and highly flexible quartz- and MEMS-based PureSilicon™ oscillators are available in a variety of industry-standard footprints to meet the requirements of your low-power or low-jitter applications. Use our Clockworks® Configurator and Sampling Tool to easily customize your oscillator to any combination of frequency, temperature, ppm and package size to suit the requirements of your application and then order samples from within the tool. You can also use our TimeFlash tool to customize and configure our MEMS oscillators. 

我们的多路输出、高度灵活的基于石英和MEMS的PureSilicon振荡器提供各种工业标准尺寸,以满足您的低功耗或低抖动应用的要求。使用我们的时钟®配置器和采样工具,可轻松定制您的振荡器,使其具有任意频率、温度、ppm和封装尺寸组合,以满足您的应用要求,然后从工具中订购样品。您也可以使用我们的TimeFlash工具定制和配置我们的MEMS振荡器。

MX57 1MX57 2

Als Standard für Schaltungen wird meist die elektrische Spezifikation grerer Quarze zugrundegelegt. Zu Unrecht – denn die Entwickler greifen immer hufiger zu kleineren Varianten, die aber ganz andere Eigenschaften als ihr greres Pendant haben.

作为电路的标准,通常基于大型石英的电气规格。至错误 - 因为开发人员越来越多地使用较小的变体,但它们完全不同属性作为其最大的同行。低功耗的LVDS时钟振荡器MX575ABB50M0000常用用于6G蓝牙模块.

Beim Blick auf die Leiterplatte stechen die relativ groen Quarze gleich ins Auge. Warum nicht einmal eine kleinere Bauform probieren? Die Auswahl ist riesig, und schlielich kann so etwas aufgrund der fortschreitenden Miniaturisierung doch nicht so schwer sein. Doch weit gefehlt. Wer die Spezifikation der groen Quarze auf die kleinen Quarze übertragen m?chte, stt im wahrsten Sinne des Wortes auf Widerstand. Auf den Resonanzwiderstand. Dieser ist umso grer, je kleiner die innere Quarzscheibe ist. Das knnen manche Schaltungen nicht mehr vertragen. Wer also eine Miniaturausführung einsetzen will, der muss die Schaltung noch genauer auf den Quarz abstimmen als bisher. 

看着印刷电路板,相对较大的石英晶振看起来是一样的。为什么连一个都没有尝试较小的建筑形式?选择是巨大的,最终可能会因为这样的事情 渐进式小型化并不难。却远远缺乏。谁的规格 想要将大象限转移到小象限,在这个词的真正意义上发生。 反抗,反抗。内部石英盘越小,它就越大。这个 有些电路再也受不了了。因此,任何想要使用缩略图的人都必须 电路比以前更准确地调整到石英。

Manufacturer Part Number原厂代码 晶振厂家 Packaging Series型号 Part Status Type 类型 Frequency 频率 Voltage - Supply电压
DSC1123BI2-100.0000 Microchip Technology Tube DSC1123 Active MEMS (Silicon) 100MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1103BI2-148.5000 Microchip Technology Tube DSC1103 Active MEMS (Silicon) 148.5MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1103BI2-135.0000 Microchip Technology Tube DSC1103 Active MEMS (Silicon) 135MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102BI2-125.0000 Microchip Technology Tube DSC1102 Active MEMS (Silicon) 125MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102BI2-153.6000 Microchip Technology Tube DSC1102 Active MEMS (Silicon) 153.6MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CI5-100.0000 Microchip Technology Tube DSC1123 Active MEMS (Silicon) 100MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CI5-156.2500 Microchip Technology Tube DSC1123 Active MEMS (Silicon) 156.25MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123DL1-125.0000 Microchip Technology Tube DSC1123 Active MEMS (Silicon) 125MHz 2.25 V ~ 3.6 V
MX575ABC70M0000 Microchip Technology Tube MX57 Active XO (Standard) 70MHz 2.375 V ~ 3.63 V
MX553BBD156M250 Microchip Technology Tube MX55 Active XO (Standard) 156.25MHz 2.375 V ~ 3.63 V
MX575ABB50M0000 Microchip Technology Tube MX57 Active XO (Standard) 50MHz 2.375 V ~ 3.63 V
MX573LBB148M500 Microchip Technology Tube MX57 Active XO (Standard) 148.5MHz 2.375 V ~ 3.63 V
MX554BBD322M265 Microchip Technology Tube MX55 Active XO (Standard) 322.265625MHz 2.375 V ~ 3.63 V
MX573NBB311M040 Microchip Technology Tube MX57 Active XO (Standard) 311.04MHz 2.375 V ~ 3.63 V
MX573NBD311M040 Microchip Technology Tube MX57 Active XO (Standard) 311.04MHz 2.375 V ~ 3.63 V
MX573NBA622M080 Microchip Technology Tube MX57 Active XO (Standard) 622.08MHz 2.375 V ~ 3.63 V
DSC1033DC1-012.0000 Microchip Technology Tube DSC1033 Active MEMS (Silicon) 12MHz 3.3V
DSC1001CI2-066.6666B Microchip Technology Tape & Reel (TR) DSC1001 Active MEMS (Silicon) 66.6666MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DI1-026.0000T Microchip Technology Tape & Reel (TR) DSC1001 Active MEMS (Silicon) 26MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1101CM2-062.2080T Microchip Technology Tape & Reel (TR) DSC1101 Active MEMS (Silicon) 62.208MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1121DM1-033.3333 Microchip Technology Tube DSC1121 Active MEMS (Silicon) 33.3333MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1001DI2-004.0960T Microchip Technology Tape & Reel (TR) DSC1001 Active MEMS (Silicon) 4.096MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1121BM1-024.0000 Microchip Technology Tube DSC1121 Active MEMS (Silicon) 24MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1101CI5-020.0000T Microchip Technology Tape & Reel (TR) DSC1101 Active MEMS (Silicon) 20MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CI2-125.0000T Microchip Technology Tape & Reel (TR) DSC1123 Active MEMS (Silicon) 125MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1101CL5-014.7456 Microchip Technology Tube DSC1101 Active MEMS (Silicon) 14.7456MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1104BE2-100.0000 Microchip Technology Tube DSC1104 Active MEMS (Silicon) 100MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123AI2-062.5000T Microchip Technology Tape & Reel (TR) DSC1123 Active MEMS (Silicon) 62.5MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1103BI2-100.0000T Microchip Technology Tape & Reel (TR) DSC1103 Active MEMS (Silicon) 100MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1121BI2-080.0000 Microchip Technology Tube DSC1121 Active MEMS (Silicon) 80MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1124CI2-156.2500 Microchip Technology Tube DSC1124 Active MEMS (Silicon) 156.25MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1124CI5-100.0000T Microchip Technology Tape & Reel (TR) DSC1124 Active MEMS (Silicon) 100MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1101DL5-052.8000 Microchip Technology Tube DSC1101 Active MEMS (Silicon) 52.8MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1104CI5-125.0000 Microchip Technology Tube DSC1104 Active MEMS (Silicon) 125MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1001DL5-020.0000T Microchip Technology Tape & Reel (TR) DSC1001 Active MEMS (Silicon) 20MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DL5-024.0000T Microchip Technology Tape & Reel (TR) DSC1001 Active MEMS (Silicon) 24MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1123DI2-100.0000B Microchip Technology Tape & Reel (TR) DSC1123 Active MEMS (Silicon) 100MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CI1-022.8800T Microchip Technology Tape & Reel (TR) DSC1123 Active MEMS (Silicon) 22.88MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CI2-212.5000 Microchip Technology Tube DSC1123 Active MEMS (Silicon) 212.5MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122CI2-103.1250 Microchip Technology Tube DSC1122 Active MEMS (Silicon) 103.125MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CI1-122.8800 Microchip Technology Tube DSC1123 Active MEMS (Silicon) 122.88MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1103CE1-200.0000T Microchip Technology Tape & Reel (TR) DSC1103 Active MEMS (Silicon) 200MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1103CE1-156.2500T Microchip Technology Tape & Reel (TR) DSC1103 Active MEMS (Silicon) 156.25MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122CI1-156.2500 Microchip Technology Tube DSC1122 Active MEMS (Silicon) 156.25MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123AE1-125.0000T Microchip Technology Tape & Reel (TR) DSC1123 Active MEMS (Silicon) 125MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122AE2-156.2500 Microchip Technology Tube DSC1122 Active MEMS (Silicon) 156.25MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122BE1-156.2500T Microchip Technology Tape & Reel (TR) DSC1122 Active MEMS (Silicon) 156.25MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123AE2-040.0000 Microchip Technology Tube DSC1123 Active MEMS (Silicon) 40MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123AI2-040.0000 Microchip Technology Tube DSC1123 Active MEMS (Silicon) 40MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122BI1-100.0000 Microchip Technology Tube DSC1122 Active MEMS (Silicon) 100MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122BI2-100.0000 Microchip Technology Tube DSC1122 Active MEMS (Silicon) 100MHz 2.25 V ~ 3.6 V

Es gilt einige Punkte zu klren, zum Beispiel: Soll die Frequenz des Quarzes gezielt ver?ndert werden, das hei?t ziehf?hig sein? Dann ist eher ein gr??erer Quarz vorzuziehen, der besser auf ?nderungen der Belastung reagieren kann. Was die realisierbare Frequenz angeht, sind in letzter Zeit zwar Fortschritte bei kleinen Quarzen zu beobachten, grunds?tzlich gilt jedoch: kleinere Frequenzen lassen sich nach wie vor eher mit etwas gr??eren Bauformen realisieren.

需要澄清几点,例如:是否有针对性地改变贴片石英晶振的频率,即 可拉伸? 那么更大的石英是更可取的,更好地应对负荷的变化 关于可实现的频率,尽管最近在小范围内取得了进展 然而,原则上,观察石英是适用的:较小的频率仍然可以更容易地使用。 实现更大的建筑形式。

Ein sensibler Punkt bei der Auswahl des Bausteins ist der Preis. K?nnen die Beschichtungsanlagen für gro?e Quarze noch mit robusten ?l-Diffusionspumpen bestückt werden, kommt man bei kleinen Quarzen ohne eine aufw?ndige Hightech-Pumpentechnik nicht mehr aus. Kleine Quarze k?nnen nur in entsprechenden Reinr?umen produziert werden. So steigen die Investitions- und Betriebskosten um ein Vielfaches, wenn kleine Quarze gebaut werden sollen. Das begründet auch den h?heren Preis der kleinen Bauteile.

在选择构件时,一个敏感点是价格。涂层设备可用于大型石英仍然用坚固的油扩散泵填充, 你来在小石英没有一个 精密的高科技泵技术不再。小季度只能在适当的 洁净室生产。因此,投资和运营成本增加了数倍,如果很小 应该建造石英,这也是小部件价格较高的原因。

Den passenden Baustein für die Applikation auszuw?hlen, ist also kein einfaches Unterfangen. Um unsere Kunden bestm?glich zu unterstützen, legen wir,  Electronic, besonderen Wert auf Beratung und eine enge Zusammenarbeit in den Bereichen Entwicklung und Anwendung. Als besonderen Service bieten wir die überprüfung elektronischer Schaltpl?ne oder der Leiterplatte an. 

因此,为应用选择合适的组件并不是一件容易的事情。关于我们为了给客户提供最好的支持,特别注重咨询和 在开发和应用方面密切合作。作为一项特殊服务,我们提供检查电子电路图或电路板。