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EPSON低频振荡电路新常识X1G0044610011,6G常用晶振
EPSON低频振荡电路新常识X1G0044610011,6G常用晶振，随着降低环境负荷意识的日益高涨，既能维持电子器械产品的高性能，又能通过设备仪器的小型化减少原材料以及彻底降低耗电量的市场需求愈来愈多。电子元器的市场变化也与此相同， 做为基准时钟的水晶元器件也要求具备小型、低耗电、高精度及高可靠性。这不是单纯的缩小部品尺寸的问 题，缩小尺寸意味着出现新的课题并使原有课题更为突出。
作为一名领先者爱普生公司利用自身的资源，开发有源晶振编码X1G0044610011，型号SG5032CBN，小尺寸晶振5.00x3.20x 1.30mm，频率为106.250000MHz，支持输出CMOS，电压为1.600to3.600V，频率稳定性为50ppm,工作温度-40 to85°C,产品特性：频率： 20个标准频率电源电压：1.8 V至3.3 V类型。功能：待机ST，工作温度：-40°C至+105°C，产品具备耐压性能，适合用于6G应用产品，无线模块，通讯模块，可视化智能家居，仪器设备，移动设备，电子产品等领域。
如将贴片石英晶振的谐振状态置换成电气电路，可以 得到如图1所示的晶体振荡单元的等效电路，CI值相 当于等效电路的 R1。通常将晶体振荡单元小型化时， CI 值会变大。这时，晶体振荡单元的CI值对振荡电 路的影响及其对策如下所示。
晶单元等效电路
【影响】 CI值较大时起振或停止电压会变高。即会出现即 使增大电压也难以起振、电压稍下降振荡就会变得不 稳定或停止振荡的现象。 而且CI值是晶体振荡单元单体中的谐振频率的等效阻抗，对振荡的不稳定或不振荡产生影响的、决 定振荡裕度的重要参数之一。
振荡裕度的检查方法
【对策】 首先，需要确保衡量振荡电路能否稳定振荡的尺度的振荡裕度在 5～10 以上。这项振荡裕度可用 图2的振荡电路的负阻抗（CI）除以晶体振荡器的等效串联阻抗（r）的最大值来表示。 当振荡裕度不足时，将出现如上所述的延迟起振时间或起振电压变高的故障。而且，当振荡裕度明 显不足时，振荡将陷入不稳定或不起振的状态。
为了提高振荡裕度，以下两种方法较为有效：
①通常改善负阻抗的方法较为有效，根据图3所示的振荡电路部分功耗与负阻抗之间的关系，可使用 增加振荡部电流的方法来解决，但这种方法存在增加 耗电量的缺点。
②使用 CI 值较小的石英晶振也可以改善振荡裕度，但如上所述，通常晶体振荡单元的小型化将使 CI 值变大。
尽管小型化与振荡的稳定相对立，但本公司使用
“QMEMS”技术，采用了既小型又能抑制CI值的设
计。本公司根据客户的需求，推出了规格尺寸丰富多样的晶体振荡单元阵容，可以为您提供系统最佳部件，
支持尊贵客户的高度设计品质。 EPSON低频振荡电路新常识X1G0044610011,6G常用晶振.
编码
品牌
型号
频率
尺寸
输出方式
电源电压
工作温度
X1G0044610001
爱普生晶振
SG5032CBN
100.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.30 mm
CMOS
1.600 to 3.600 V
-40 to 85 °C
X1G0044610002
爱普生晶振
SG5032CBN
125.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.30 mm
CMOS
1.600 to 3.600 V
-40 to 85 °C
X1G0044610003
爱普生晶振
SG5032CBN
133.333000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.30 mm
CMOS
1.600 to 3.600 V
-40 to 85 °C
X1G0044610004
爱普生晶振
SG5032CBN
133.330000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.30 mm
CMOS
1.600 to 3.600 V
-40 to 85 °C
X1G0044610005
爱普生晶振
SG5032CBN
150.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.30 mm
CMOS
1.600 to 3.600 V
-40 to 85 °C
X1G0044610006
爱普生晶振
SG5032CBN
153.600000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.30 mm
CMOS
1.600 to 3.600 V
-40 to 85 °C
X1G0044610007
爱普生晶振
SG5032CBN
156.250000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.30 mm
CMOS
1.600 to 3.600 V
-40 to 85 °C
X1G0044610008
爱普生晶振
SG5032CBN
160.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.30 mm
CMOS
1.600 to 3.600 V
-40 to 85 °C
X1G0044610009
爱普生晶振
SG5032CBN
170.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.30 mm
CMOS
1.600 to 3.600 V
-40 to 85 °C
X1G0044610010
爱普生晶振
SG5032CBN
84.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.30 mm
CMOS
1.600 to 3.600 V
-40 to 85 °C
X1G0044610011
爱普生晶振
SG5032CBN
106.250000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.30 mm
CMOS
1.600 to 3.600 V
-40 to 85 °C
X1G0044610012
EPSON晶振
SG5032CBN
83.330000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.30 mm
CMOS
1.600 to 3.600 V
-40 to 85 °C
X1G0044610016
爱普生晶振
SG5032CBN
133.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.30 mm
CMOS
1.600 to 3.600 V
-40 to 85 °C
X1G0044610017
爱普生晶振
SG5032CBN
133.333300 MHz
5.00 x 3.20 x 1.30 mm
CMOS
1.600 to 3.600 V
-40 to 85 °C
X1G0044610019
爱普生晶振
SG5032CBN
133.333330 MHz
5.00 x 3.20 x 1.30 mm
CMOS
1.600 to 3.600 V
-40 to 85 °C
X1G0044610021
爱普生晶振
SG5032CBN
90.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.30 mm
CMOS
1.600 to 3.600 V
-40 to 85 °C
X1G0044610022
爱普生晶振
SG5032CBN
148.500000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.30 mm
CMOS
1.600 to 3.600 V
-40 to 85 °C
X1G0044610023
爱普生晶振
SG5032CBN
80.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.30 mm
CMOS
1.600 to 3.600 V
-40 to 85 °C
X1G0044910001
爱普生晶振
SG7050CBN
100.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
1.600 to 3.600 V
-40 to 85 °C
X1G0044910002
爱普生晶振
SG7050CBN
125.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
1.600 to 3.600 V
-40 to 85 °C
X1G0044910003
爱普生晶振
SG7050CBN
106.250000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
1.600 to 3.600 V
-40 to 85 °C
X1G0044910004
爱普生晶振
SG7050CBN
133.330000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
1.600 to 3.600 V
-40 to 85 °C
X1G0044910005
爱普生晶振
SG7050CBN
150.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
1.600 to 3.600 V
-40 to 85 °C
X1G0044910006
爱普生晶振
SG7050CBN
156.250000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
1.600 to 3.600 V
-40 to 85 °C
X1G0044910007
爱普生晶振
SG7050CBN
83.330000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
1.600 to 3.600 V
-40 to 85 °C
X1G0044910008
爱普生晶振
SG7050CBN
84.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
1.600 to 3.600 V
-40 to 85 °C
X1G0044910009
爱普生晶振
SG7050CBN
133.333000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
1.600 to 3.600 V
-40 to 85 °C
X1G0044910010
爱普生晶振
SG7050CBN
153.600000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
1.600 to 3.600 V
-40 to 85 °C
X1G0044910011
爱普生晶振
SG7050CBN
160.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
1.600 to 3.600 V
-40 to 85 °C
X1G0044910012
爱普生晶振
SG7050CBN
170.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
1.600 to 3.600 V
-40 to 85 °C
X1G0044910017
爱普生晶振
SG7050CBN
133.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
1.600 to 3.600 V
-40 to 85 °C
X1G0044910018
爱普生晶振
SG7050CBN
133.333300 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
1.600 to 3.600 V
-40 to 85 °C
X1G0044910020
爱普生晶振
SG7050CBN
125.006250 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
1.600 to 3.600 V
-40 to 85 °C
X1G0044910021
爱普生晶振
SG7050CBN
156.250000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
1.600 to 3.600 V
-20 to 70 °C
X1G0044910022
爱普生晶振
SG7050CBN
156.253906 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
1.600 to 3.600 V
-40 to 85 °C
X1G0044910023
爱普生晶振
SG7050CBN
80.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
1.600 to 3.600 V
-40 to 85 °C
X1G0044910024
爱普生晶振
SG7050CBN
114.285000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
1.600 to 3.600 V
-40 to 85 °C
X1G0044910025
爱普生晶振
SG7050CBN
120.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
1.600 to 3.600 V
-20 to 70 °C
X1G0044910026
爱普生晶振
SG7050CBN
120.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
1.600 to 3.600 V
-20 to 70 °C
X1G0044910027
爱普生晶振
SG7050CBN
120.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
1.600 to 3.600 V
-40 to 85 °C
X1G0044910028
爱普生晶振
SG7050CBN
100.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
1.600 to 3.600 V
-20 to 70 °C
X1G0044910029
爱普生晶振
SG7050CBN
85.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
1.600 to 3.600 V
-20 to 70 °C
X1G0059410001
爱普生晶振
SG2520VHN
156.250000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.84 mm
LVDS
3.135 to 3.465 V
-40 to 85 °C
X1G0059410002
爱普生晶振
SG2520VHN
156.250000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.84 mm
LVDS
2.375 to 2.625 V
-40 to 85 °C
X1G0059410003
爱普生晶振
SG2520VHN
156.250000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.84 mm
LVDS
1.710 to 1.890 V
-40 to 105 °C
振荡电路部分的电流与负阻抗之间的关系
振荡频率的偏移
随着振荡器尺寸的小型化，频率敏感度将变高。 实装到产品基板时振荡频率可能偏移所期待值。以下说 明其影响及对策。
【影响】 晶体振荡单元的频率随振荡电路的负载电容而变化。 这种变化被称为“频率与负载电容特性”。负载电容如式 1)所示，由振荡电路的电容值和杂散电容量而决定。 频率与负载电容特性如图4所示，随振荡器的规格尺 寸而不同。频率的精度随着振荡器尺寸的小型化，电容容量每1pF的频率敏感度将变高（曲线的倾斜变得急剧），因此受到每 块基板的杂散容量不均的影响，频率容易变动。即振荡频率的偏移变大。
这种情况下晶体振荡电路的对策如下所示。
式１）CL≈Cg×Cd/(Cg+Cd)+Cs （Cs:电路的杂散容量）
振荡电路
【对策】 图5为使用 CMOS IC的、通常的晶体振荡电路。 通过改变此图中的栅极容量 CG、漏极容量 CD，可以调整振 荡频率。因此，可采取以下方法： ①选择 CG、CD 的不均较小的电容； ②选择敏感度低的晶体振荡单元。 用上述观点选择部品，就能得到稳定的频率精度。 本公司产品使用“QMEMS”技术，采用了既小型又能抑制敏 感度和每个产品的不均的设计。 使用这样的产品也是有效手段之一。
与前项“对策”的手法不同，设计中使用“晶体振荡器”也是非常有效的对策。 石英晶体振荡器是集晶体振荡单元和振荡电路为一体的产品，具有如下优点： ?内藏振荡电路，所以振荡动作、频率精度、振荡波形等特性处于最佳状态即可使用； ?不需要变更振荡电容的电路常数等，也不需要整块基板的电路评价； ?稳定振荡与低耗能工作这两项相峙的要求，已调节匹配达到最高的平衡。 由于所具有的这些特征，能够大幅度地降低难度不断增加的低频振荡电路的设计工数以及设计风 险。 而且，Epson Toyocom既将晶体振荡单元与振荡电路汇成一体构造，又开发出了 2.2×1.4×1.0t mm的小型规格的 SG-3050BC。尺寸小，且只需接电源就能发挥功能，能为提高实装区域的自由度做 出贡献。
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