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如何设计一颗低电流的晶体振荡器?

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浏览:- 发布日期:2019-08-03 15:23:39【
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低电流和低电压几乎是一颗完整晶体振荡器的标配”,现在常用的有源晶振电压范围都是在1.8V~5.0V之间,最常见的是3.3V,很少会超过5.0V,这都得益于晶体晶振设计工程师们几十年的努力和研究.低电流和低电压可以降低功耗,节省成本,带来更好的效益和性能.但是低电流晶振具体是如何设计和布局的,您知道吗?

本应用笔记描述了低频振荡器设计和晶体选择如何影响工作电流.当从有限容量的电源(例如锂纽扣电池或超级电容器)运行石英晶体振荡器,最小化工作电流会增加工作时间.Maxim拥有大量低功耗,电池供电的实时时钟(RTC)产品组合.Maxim设计RTC时的首要考虑因素是当RTC从备用电源运行时,最大限度地降低振荡器的功率要求,从而最大限度地延长备用电源的使用寿命.晶体振荡器提供合理的精度,多年来的开发工作一直致力于最小化功耗.

振荡器设计目标包括以下内容:

●提供足够的电流和增益来启动和维持振荡

●提供宽工作电压范围

●最大限度地减少外部噪声对精度的影响

关键晶体和振荡器参数

1给出了石英晶体谐振器的等效电路.晶体具有两个零相位频率,如图2所示.较低的频率是串联谐振频率.在串联谐振频率下,L1C1抵消,阻抗由R1确定.¹第二个更高的频率是并联谐振频率.在并联谐振时,电阻最大.并联谐振振荡器电路(3)使用设计用于在指定负载电容下工作的晶体.这导致电路在串联谐振点和并联谐振点之间的频率下工作.负载电容的变化会引起振荡器频率的变化.经过SMT回流后,晶体等效串联电阻(ESR)往往会向上移动,因此与通孔封装晶体类似的SMT晶体可能具有更高的最大ESR规格.同样,较小的音叉晶体通常比较大的晶振具有更高的ESR规格.

如何设计一颗低电流的晶体振荡器?

1.晶体谐振器的等效电路.

如何设计一颗低电流的晶体振荡器?

2.晶相和阻抗响应.

如何设计一颗低电流的晶体振荡器?

3.穿孔型(逆变器变化)振荡器电路.

振荡器电流

正如EricVittoz所观察到的,当晶体振荡器电路(3)中的两个负载电容具有相等的值时,振荡(或临界跨导)的最小电流可以用下面的等式近似.²

G mcrit4ω²×CL²×RESR

其中ω是以弧度表示的频率,CL是等效电容负载,RESR是晶体的ESR.假设晶体振荡器是在弱反转中工作的CMOS器件.Vittoz还通过以下等式确定振荡器幅度和偏置电流:

如何设计一颗低电流的晶体振荡器?

表格1使用上面的V1nUT的值显示Crystal Oscillator电流的CLESR之间的关系.1.晶体ESRCL与振荡器电流的关系

ESR(Ω)

CL(pF)

Io(nA)

35000

6

22.2

70000

6

44.4

35000

12.5

88.9

70000

12.5

177.8

由于在gmcrit的等式中,CL项是平方的,所以负载电容加倍具有将振荡器电流增加四倍的效果.将晶体ESR增加两倍会使所需的振荡器电流加倍.注意,这是估计的最小振荡器电流,其不包括用于放大振荡器输出的附加电路所消耗的电流,也不包括用于将频率分频为1Hz的器件中的电流.

振荡器设计要求

有源石英贴片晶振的设计应使其具有足够的增益,以便在整个工作温度和电压范围内工作.幅度必须始终足以在工作条件下驱动后续增益和缓冲级.为了最小化振荡器电流要求,对于给定的振荡电压,期望低CL.然而,较低的CL会增加振荡器对外部噪声影响的敏感度.CL晶体的可用性差可能使得选择具有更高CL的晶体必要的,以增加振荡器电流为代价.同样,如果设计需要小型晶体封装,则需要一种能够驱动高ESR晶振的振荡器设计,从而增加必要的振荡器电流.

此外,用于增加所需功能的电路,例如用于提高贴片振荡器噪声抗扰度的毛刺滤波器,或用于检测振荡器何时停止的电路,将增加电路的总电流消耗.³

在设计用于低功率RTC的振荡器时,需要考虑许多权衡因素.增加CL将提高抗噪性,并可提供更多的晶体模型供选择,但代价是OSC振荡器电流.同样地,设计振荡器以使其以相对高的ESR晶体运行需要更高的振荡器电流.添加毛刺滤波器或振荡器停止检测电路也会增加有益的功能,但会消耗额外的电流.

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    【本文标签】:低电流晶体振荡器 低频振荡器设计 低电压有源晶体
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